Особенности использования транзисторов в

При конструировании, изготовлении и эксплуатации компьютерной техники следует принимать во внимание ее специфические параметры. Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость характеристик от режима работы, а также изменение параметров транзисторов в процессе эксплуатации.

Транзисторы сохраняют свои характеристики в установленных пределах в условиях эксплуатации и хранения, характерных для различных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуатации техники могут изменяться в больших пределах. Эти условия характеризуются внешними центробежными нагрузками и климатическими воздействиями (атмосферными и др.).

Общие условия, справедливые для всех биполярных транзисторов, предназначенных для применения в аппаратуре определенного класса, содержатся в общих технических условиях. Нормы на значения электрических параметров и специфические требования, относящиеся к конкретному типу транзистора, находятся в частных технических условиях.

Для удобства конструирования и ремонта основные параметры транзисторов и их схемы собраны в справочнике. К преимуществам Интернет справочника надо отнести его общедоступность, пополняемость, простой поиск требуемого транзистора по маркировке и аналогу.

Под воздействием разных факторов окружающей среды некоторые характеристики транзисторов и свойства могут меняться. Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних факторов служат корпуса приборов. Конструктивное оформление биполярных транзисторов рассчитано на их применение в составе аппаратуры при любых допустимых условиях эксплуатации. Необходимо помнить, что корпуса транзисторов, в конечном счете, имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании транзисторов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них электронными элементами следует покрывать лаком не менее чем в три слоя.

Все большее распространение находят так называемые бескорпусные транзисторы, изготовленные для использования в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких элементов защищены специальным покрытием, но оно не дает хорошей защиты от воздействия окружающей среды. Защита достигается общей герметизацией всей микросхемы.

Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работу бытовой электроники, конструктор должен не только учесть характерные особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и осуществить должные условия ее эксплуатации и хранения.

Транзисторы - приборы универсального назначения. Они могут быть без нареканий использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других устройствах. Но набор параметров и характеристик, приводимых в Интернет справочнике, соответствует главному назначению транзистора. В справочнике даны значения параметров транзисторов, гарантируемые техническими условиями для соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий режим транзистора в проектируемом аппарате часто отличается от того режима, для которого приведены параметры в ТУ.

Значения большинства характеристик транзисторов зависят от рабочего режима и температуры, причем с увеличением температуры зависимость параметров от режима видно более сильно. В справочнике приводятся, как правило, типовые (усредненные) зависимости характеристик транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Эти зависимости должны использоваться при выборе типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как данные параметров транзисторов одного типа не одинаковы, а находятся в некотором диапазоне. Этот интервал ограничивается минимальным или максимальным значением, указанным в справочнике. Некоторые характеристики имеют двустороннее ограничение.

При настройке радиоэлектронной аппаратуры необходимо стремиться обеспечить их работоспособность в возможно более широких интервалах изменений важнейших характеристик транзисторов. Разброс параметров транзисторов и их изменение во времени при разработке могут быть учтены расчетными методами или экспериментально — способом граничных испытаний.

Полевые трехполюсники с управляющим р-n переходом работают в режиме обеднения канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при преобразовании потенциала затвор - исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока.

В отличие от транзисторов с управляющим р-n переходом, у которых рабочая область составляет от Uзи = 0 до потенциала запирания, МДП-транзисторы сохраняют высокое входное сопротивление при различных значениях напряжения на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора.


Вы находитесь в разделе Бизнес-Инфо ресурса 21.by, здесь вы найдете актуальную и интересную информацию.
© 2004-2020 21.by